EddyCus® map C2C是一个全自动的测量设备，用于对半导体行业的晶圆基片或涂层进行全面积表征，以确保工艺可靠性和质量保证。
该系统配备了两个非接触式涡流传感器，以传输模式运行。这使得基片材料或导电涂层的均匀性可以得到非常详细的显示。
EddyCus® map C2C的测量能力，用于测量板材电阻、金属层厚度和电阻率
我们的系统能够测量薄膜的片状电阻或金属层厚度，以及晶圆基材的电阻率。
创新的浮动晶圆技术
在该装置的开发过程中，重点是将系统与晶圆的接触减少到最低限度，以便不影响晶圆的完整性。因此，该装置几乎完全以非接触方式工作。晶片基底或涂层的表面不被触及。只在晶圆的侧面有选择地进行接触，而且接触的力量很小。请看我们的EddyCus® map C2C的视频以了解处理过程。
高分辨率、全表面的晶圆测绘
测量设备对晶圆或涂层进行高分辨率、全面积的成像，使您能够深入了解被表征晶圆的质量。根据设置和您的时间要求，可以得到几十个到几万个测量点的图像。
该软件还提供各种分析工具，如直方图或各种线型图。要想特别详细地查看晶圆上的某个区域，你可以用选择工具选择相关的位置，然后用线型图或直方图再次进行分析。
用于150毫米和200毫米晶圆的卡带
EddyCus® map C2C有一个可以容纳150毫米（6英寸）晶圆和200毫米（8英寸）晶圆的晶圆载体的加载装置。晶圆载体的容量为25片晶圆。
自动化晶圆处理
对于晶圆成像，晶圆从盒式/载体转移到涡流传感器，然后再放回盒式。对于希望减少处理晶圆的时间的制造企业来说，一个有用的工具是自动晶圆处理。我们的自动晶圆处理技术降低了劳动成本，提高了处理的准确性，并降低了人为错误的可能性。晶圆被测量、处理，并由系统精确地从晶圆盒运到测量站，再运回晶圆盒。通过这样做，不再需要人为操作晶圆，从而避免了测量错误和潜在的晶圆损坏。
专用于宽带隙材料，如SiC、GaN
一种被称为宽带隙材料的半导体材料的能量带隙比一般的半导体更宽。在半导体领域，晶体管和其他集成电路是使用宽带隙材料制成的。这些元件对半导体来说是至关重要的，因为它们能提供更大的功率效率和更快的开关时间。宽带隙材料适合于高功率应用，因为它们也有更大的击穿电压。它们能更好地抵御辐射，这使它们非常适合用于空间应用。碳化硅、氮化镓和金刚石是宽带隙材料的几个例子。许多不同的应用，如电源、太阳能电池和激光二极管，都利用了这些材料。
片状电阻、层厚和电阻率测量
EddyCus® map C2C能够确定薄膜的片状电阻和厚度，以及晶圆基板的电阻。该设备具有很大的测量范围，这意味着几乎所有可以想象的应用都可以通过该设备进行测量。
数据表，用于 EddyCus® map C2C
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测量技术
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非接触式涡流传感器，用于TTV的电容式或共焦式传感器
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基板
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6 / 8英寸晶圆
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磁带
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1
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边缘效应校正/排除
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2 - 10毫米（取决于尺寸、范围、设置和要求）。
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片材阻力范围
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0.0001 – 100 Ohm/sq < 1 – 3 % accuracy <br> 100 – 100,000 Ohm/sq < 1 – 5 % accuracy (6 decades with one sensor)
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总厚度测量
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10 - 100,000 μm（可选）
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金属薄膜的厚度测量（如铝、铜）。
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2 nm - 2 mm（根据片状电阻）。
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Measurement patterns (line scan, mapping)
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2 nm – 2 mm (in accordance with sheet resistance)
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测量间距
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1 / 2 / 5 / 10 / 20 / 50 mm
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测量点
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9 / 17 / 49 / 81 / 99 / 169 / 625 / .... / 10,000
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测量时间
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行扫描时间少于1秒 多点扫描：每点0.1至1秒
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安全变体
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系统受安全激光扫描器和封闭系统的保护
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装置尺寸(W/D/H)
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785 mm x 1,170 mm x 666 mm / 30.91“ x 46.06“ x 26.22“
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可用的功能
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电阻率，金属厚度，总厚度变化的传感器
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